उच्च चाप परीक्षणमा तापक्रमको प्रभाव

तापक्रम परिवर्तनले इन्सुलेशन प्रतिरोधलाई पूर्ण रूपमा असर गर्नेछ, त्यसैले जब बाह्य तापक्रम बढ्दै जान्छ, इन्सुलेशन सामग्रीमा अणुहरू र आयनहरूको चालले तापक्रम वृद्धिसँगै गतिलाई तीव्र पार्नेछ, जसले गर्दा इन्सुलेशन प्रतिरोधको ध्रुवता सुधार गर्न सकिन्छ, र इन्सुलेशन प्रतिरोध कम हुन्छ। एकै समयमा, तापक्रम वृद्धिको प्रक्रियामा, इन्सुलेशन प्रतिरोधमा पानीका अणुहरूको चाल गति तीव्र हुँदै जानेछ, जसले गर्दा इन्सुलेशन प्रतिरोधको सतहमा रहेको अशुद्धताहरू द्रुत रूपमा विघटन गर्न सकिन्छ, जसले गर्दा प्रतिरोध द्रुत रूपमा कम गर्न सकिन्छ। थप रूपमा, इन्सुलेशन प्रतिरोधको कमी सतहमा रहेको फोहोरसँग प्रत्यक्ष रूपमा सम्बन्धित छ। एकै समयमा, केही अनुसन्धान डेटाको विश्लेषणले देखाउँछ कि तापक्रम परिवर्तनले ट्रान्सफर्मरको इन्सुलेशन अवशोषण अनुपातमा पनि परिवर्तन ल्याउनेछ। यस अवस्थामा, यसलाई दुई अवस्थामा विभाजन गर्न सकिन्छ। सुख्खा चर दबाब लुको लागि, तापक्रम वृद्धिसँगै अवशोषण अनुपात बढ्नेछ। यद्यपि, तापक्रम ४० ℃ भन्दा बढीमा पुगेपछि, अवशोषण अनुपात घट्नेछ। अन्य अवस्थामा, तापक्रम वृद्धिसँगै, अवशोषण अनुपात घट्नेछ।

दबाव वृद्धि गतिको प्रभाव

उच्च-भोल्टेज परीक्षणमा, बूस्टिङको गतिले वर्तमान चुहावटलाई असर गर्नेछ, त्यसैले परीक्षणमा, त्रुटिको घटनालाई सकेसम्म नियन्त्रण गर्न ट्रान्सफर्मरको क्षमता अनुसार लचिलो रूपमा बुझ्न आवश्यक छ, ताकि उच्च-भोल्टेज परीक्षणको परिणामको शुद्धता सुनिश्चित गर्न सकियोस्।

पावर ट्रान्सफर्मर परीक्षण उदाहरण

उदाहरणको रूपमा वाइन्डिङ र बुशिङको DC प्रतिरोध परीक्षण लिँदा, परीक्षणमा ध्यान दिनुपर्ने कुराहरू संक्षिप्त रूपमा व्याख्या गरिएको छ। ट्रान्सफर्मर वाइन्डिङमा ठूलो इन्डक्टन्स र पारस्परिक इन्डक्टन्स हुने भएकाले, तर सानो प्रतिरोध हुने भएकाले, समय स्थिरता L/R अनुसार, समय स्थिरता धेरै ठूलो भएको पाइनेछ। यस अवस्थामा, यदि करेन्ट स्थिर राख्ने हो भने, चार्जिङ समय धेरै लामो हुनेछ। त्यसकारण, केही ठूला ट्रान्सफर्मरहरूको लागि, परीक्षण समय सकेसम्म छोटो बनाउनुपर्छ। यदि ठूलो-स्तरीय ट्रान्सफर्मरको कम-भोल्टेज वाइन्डिङमा प्रतिरोध मापन गर्ने हो भने, कम-भोल्टेजको अन्त्यमा केही रोमाञ्चक मोडहरू हुने भएकाले, श्रृंखला वाइन्डिङ चुम्बकीकरणको विधि अपनाउन सकिन्छ र सही जडान मोड चयन गर्नुपर्छ।